| 型号：SPP06N60C3 | 类别：FET - 单 | 制造商：Infineon Technologies |
| 封装：TO-220-3 | 描述：MOSFET N-CH 650V 6.2A TO-220 | |
详细参数
| 类别 | FET - 单 |
|---|---|
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 6.2A TO-220 |
| 系列 | CoolMOS™ |
| 制造商 | Infineon Technologies |
| FET型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET特点 | 标准 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 650V |
| 电流_连续漏极（Id）0a025000C | 6.2A |
| 开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 750 毫欧 @ 3.9A，10V |
| Id时的Vgs（th）111最大222 | 3.9V @ 260µA |
| 闸电荷（Qg）0a0Vgs | 31nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）0a0Vds | 620pF @ 25V |
| 功率_最大 | 74W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 供应商设备封装 | PG-TO220-3 |
| 包装 | 管件 |
供应商
| 深圳市芯柏然科技有限公司 | 欧阳0755-82533534 |
| 深圳市瑞新盛科技有限公司 | 杨先生086-0755-23612148 |
| 现代芯城（深圳）科技有限公司 | 董0755-82542579 |
| 深圳市芯脉实业有限公司 | 骆0755-84507209 |
| 深圳市芯柏然科技有限公司 | 欧阳0755-82533534 |
| 深圳市励芯恒智能科技有限公司 | 雷先生0755-23487994 |
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